三星（中國）半導體有限公司X2項目施工圖設計文件審查項目，該項目建于中國陜西省西安高新技術開發區綜合保稅區內綜四路以南，保七路以西。建設規模：建設一條12英寸10-X nm級V4 NAND閃存芯片生產線，設計產能6.5萬片/月。項目初期產品為64G/128G/256G NAND MLC。項目總投資約70億美元，其中建設投資約64.7億美元，流動資金5.3億美元。本項目用地面積約532,079.35m2，二期項目建筑面積約537408.54m2，計容建筑面積約713115.85 m2。